三星推出低功耗DDR4存储芯片 下代手机内存标配可达4GB

三星推出低功耗DDR4存储芯片 下一代智能手机内存标配可达4GB

韩国电子巨头三星公司今天推出了第一颗8GB，低功耗双速率4(LPDDR4)移动DRAM存储器。这款新元件采用20纳米工艺制造，单颗芯片的容量高达1GB，是目前DRAM组件中密度最高的。此外，三星还改进了功耗技术，能量消耗低，表现却更加出色。

这款8GB LPDDR4 移动DRAM可以提高应用的速度，支持更高的分辨率，更长的电池待机时间等等。因为采用全新的低电压摆幅终端逻辑(LVSTL)I/O接口，数据传输高达3200Mbps。这比当前量产的20纳米制式的LPDDR3 DRAM要快2倍，LPDDR4的表现性能比目前最快的DDR3存储要高50%，工作电压1.1伏时，能耗仅为40%。

很明显这款存储芯片是为三星旗下的高端设备产品设计，2014年发布的三星智能手机肯定会配备这款高性能存储芯片。